存储主控芯片负责调配存储芯片的存储空间与速率，在存储器中与存储芯片搭配使用。存储主控芯片是CPU与存储器之间数据交换的中介，决定了存储器最大容量、存取速度等多个重要参数。

存储主控芯片的发展一方面要适应并优化不断增长的存储芯片容量，另一方面要适配存储传输协议的代际演进，并在存储固件的控制下实现温度管理、健康报告、坏块管理、纠错机制、断电保护等。
作为国内最早布局移动存储控制芯片的公司，188金宝搏·(中国)官方网站科技在移动存储控制芯片领域历经20年的发展和创新。188金宝搏·(中国)官方网站科技聚焦突破存储颗粒架构、提升制造工艺水平。

通过自主研发的高性能、低功耗的指令集专用处理器和ECC纠错算法，结合独创的Flash控制技术、硬件加速算法等一系列技术，提升产品的数据读写性能和数据安全保护性能，使芯片在综合良率、实际容量及兼容性等指标上具备较强的竞争力，并且降低芯片产品成本，增强竞争优势。

USB控制器芯片

• 采用BCH ECC纠错算法,最高支持72bit/1K
• 最高支持16KB/PAGE flash，最高支持8192Page/Block
• 支持3D Nand flash和Toggle flash
• 支持3.3v/1.8v Flash，支持3.3v/1.8v 电压自动trimming
• Flash电压、电流可配，PAD/电源地可配置
• 最高频率166MHz
• 工作电压1.5-3.8V
• 待机电流<0.1uA，待机功耗<0.5uW（低功耗专利）

CBM2199S

• 支持3.3V/1.8V，8bit/16bit Nand Flash；
• 支持512B-8KB page size，7bit-43bit ecc纠错能力
• 创新的不间断纠错机制；
• 支持SD/MMC 1bit/4bit Host读卡器功能
• 支持SPI host读卡器功能

• 采用BCH ECC纠错算法,最高支持72bit/1K
• 最高支持16KB/PAGE flash，最高支持2KPAGE/Block
• 支持3.3v/1.8v Flash，支持3.3v/1.8v 电压自动trimming
• PAD/电源地可配置，且LDO驱动能力支持软件配置。
• 使用.11um RVT库，最高频率166MHz
• 待机电流<0.1uA，待机功耗<0.5uW（低功耗专利）

SD控制器芯片

• 支持SD2.0协议
• 采用BCH ECC纠错算法,最高支持72bit/1K
• 采用55nm工艺，最高频率166MHz
• 兼容Windows，Linux，MacOS，Andriod等多系统平台
• 支持VCCQ 3.3V/1.8V  VCC3.3V
• 最高支持16KB/PAGE flash，最高支持4KPAGE/Block
• 支持L型封装

• 支持SD2.0/SD3.0协议
• 采用BCH ECC纠错算法,最高支持72bit/1K
• 最高支持16KB/PAGE flash，最高支持8KPAGE/Block
• 支持3D Nand flash和Toggle flash
• 支持3.3v/2.5v/1.8v/1.2v Flash，支持3.3v/2.5v/1.8v/1.2v电压自动trimming
• PAD/电源地可配置，且LDO驱动能力支持软件配置。
• 最高频率208MHz
• 工作电压：1.1-3.8V
• 待机电流<0.1mA，待机功耗<0.5uW（低功耗专利）

• 支持SPI Slave协议，总线宽度支持1/2/4 bit，最高支持104MHz时钟频率
• 支持ONFI1.0 异步模式标准，支持8/16 bit Flash。支持最快20ns访问速度
• 16 bitFlash最高支持2个片选；8bitFlash最高支持8个片选
• 支持2Kbyte/4Kbyte Page SLC FLASH；
• 支持4-14 bit ECC纠错能力.
• 多样化的数据格式管理。
• 支持8K-Bytes OTP单元, 大小可配置。
• 工作电压：SPI工作电压范围3.0~3.6V，Flash工作电压范围1.6~2.0V / 3.0~3.6V
• 工艺：采用SMIC .11um工艺